খবর

সেমিকন্ডাক্টর চিপ উত্পাদন খাতে, ওয়েফার ডাইসিং একটি সমালোচনামূলক প্রক্রিয়া যা একটি ওয়েফারের উপর অসংখ্য চিপগুলি পৃথক ইউনিটগুলিতে পৃথক করে। সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তির অবিচ্ছিন্ন অগ্রগতির সাথে, 6 ইঞ্চি ওয়েফার ডাইসিং কৌশলগুলিও ক্রমবর্ধমান বাজারের চাহিদা এবং প্রযুক্তিগত চ্যালেঞ্জগুলি মোকাবেলায় বিকশিত হয়েছে।

 

 

traditional তিহ্যবাহী ডাইসিং প্রযুক্তির মুখোমুখি চ্যালেঞ্জগুলি:

প্রচলিত যান্ত্রিক ডাইসিং পদ্ধতিগুলি যেমন হীরা-প্রলিপ্ত ব্লেড ব্যবহার করে, 6 ইঞ্চি ওয়েফার ডাইসিংয়ে নির্দিষ্ট সীমাবদ্ধতা প্রদর্শন করে। 6 ইঞ্চি ওয়েফারগুলির তুলনামূলকভাবে বৃহত্তর আকারের কারণে, ডাইসিংয়ের সময় ব্লেড পরিধানের ত্বরণ, কাটার গতি ধীর হয় এবং চিপ প্রান্তগুলি চিপিং এবং ডিলেমিনেশনের ঝুঁকিতে থাকে। এই বিষয়গুলি বিশেষত সিলিকন কার্বাইড (এসআইসি) ওয়েফারগুলির মতো শক্ত উপকরণগুলির জন্য বিশেষত উচ্চারিত হয়।

 

লেজার ডাইসিং প্রযুক্তির উত্থান:

traditional তিহ্যবাহী পদ্ধতির ত্রুটিগুলি সমাধান করার জন্য, লেজার ডাইসিং ধীরে ধীরে 6 ইঞ্চি ওয়েফার ডাইসিংয়ের মূল সমাধান হয়ে উঠেছে।

লেজার বিমোচন: এই কৌশলটি উপাদানগুলিকে বাষ্পীভূত করতে এবং ডাইসিং গ্রোভগুলি তৈরি করতে একটি ফোকাসযুক্ত লেজার মরীচি ব্যবহার করে তবে এটি একটি বৃহত তাপ-প্রভাবিত অঞ্চল (এইচএজি), মাইক্রোক্র্যাকস এবং ওয়েফারের নীল টেপের সম্ভাব্য ক্ষতি তৈরি করতে পারে।

 

জল-জেট গাইডেড লেজার ডাইসিং: একটি জলের প্রবাহের মাধ্যমে লেজার শক্তি নির্দেশ করে, এই পদ্ধতিটি কার্যকরভাবে ডাইসিং অঞ্চলকে শীতল করার সময়, তাপীয় বিকৃতি এবং ক্ষতি হ্রাস করে এবং কাটার গতি উন্নত করার সময় যথাযথ কাটিয়া সক্ষম করে।

 

 

স্টিলথ ডাইসিং (এসডি): এই প্রযুক্তিটি লেজার ইরেডিয়েশনের মাধ্যমে ওয়েফারের অভ্যন্তরে পরিবর্তিত স্তরগুলি তৈরি করে, পৃষ্ঠ ছাড়াই উচ্চ-নির্ভুলতা বিচ্ছেদ সক্ষম করে। এটি চিপ ফলন এবং কর্মক্ষমতা উল্লেখযোগ্যভাবে বাড়ায়।

 

থার্মাল লেজার বিচ্ছেদ (টিএলএস): লেজার-প্ররোচিত তাপীয় চাপ এবং দ্রুত শীতলকরণকে উপার্জন করা, টিএলএস উচ্চ গতি এবং সংকীর্ণ ডাইসিং রাস্তাগুলির মতো সুবিধার সাথে পরিষ্কার ওয়েফার বিচ্ছেদকে চালিত করে।